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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和出色开关性能的功率开关管吗？STF16N60M6正是您的理想之选。这颗采用UltraFASTmesh技术的600V N沟道MOSFET，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更高效、更凉爽。

它能够轻松处理高达12A的连续电流，通孔式的TO-220FP封装确保了强大的功率耗散能力，让您在提升功率密度的同时，无需过分担忧散热挑战。无论是用于构建更高效的AC-DC电源，还是驱动工业电机，STF16N60M6都能以卓越的电气性能，助您简化设计，提升系统整体可靠性，加速产品上市进程。

• 型号:STF16N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF16N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。