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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STB19NF20正是为您而来。这颗基于先进MESH OVERLAY技术的N沟道MOSFET，拥有200V的耐压和15A的电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅160毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它集成了优异的动态特性，如低栅极电荷和输入电容，确保开关速度快、驱动简单，从而降低整体系统功耗。无论是用于工业自动化、电源供应还是能源转换，STB19NF20都能让您轻松提升功率密度和可靠性，将卓越性能转化为产品的核心竞争力。

• 型号:STB19NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB19NF20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。