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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP10NM65N正是为您而来的解决方案。这颗采用意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源击穿电压和9A的连续电流能力，它能轻松担任您电源拓扑中的核心开关角色，将导通损耗降至最低，让能量转换更加高效。

更令人印象深刻的是其出色的动态性能。优化的栅极电荷设计让开关过程更快、更干净，显著降低了开关损耗和驱动需求。无论是面对工业电机驱动的严苛挑战，还是应对消费类电源对尺寸与效率的双重要求，它都能让您的设计游刃有余。其坚固的TO-220AB封装和宽泛的工作温度范围，确保了在各种应用环境下长期的稳定运行，是您提升产品竞争力、打造高可靠性系统的得力助手。

• 型号:STP10NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。