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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STD6NM60N就是为您破解这一难题的利器。这颗采用ST先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和4.6A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅920毫欧）和优化的栅极电荷。这能让您的开关电源、电机驱动或照明系统在运行时损耗大幅降低，发热更少，从而轻松实现更高的整体能效和更紧凑的散热设计。

它就像一位高效的“电能守门员”，在10V的标准驱动电压下即可快速、稳定地动作，确保功率切换精准无误。其坚固的DPAK封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），赋予了它出色的环境适应性和可靠性。选择它，意味着您选择了一个久经考验的解决方案，让您的产品在性能与稳定性上赢得双重优势。

• 型号:STD6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。