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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高效转换能量的核心开关器件吗？STP10NK80Z正是为您而来！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和9A的强大电流处理能力，旨在让您的电源设计如虎添翼。

它通过极低的导通电阻（典型900mΩ）和优化的栅极电荷，显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。无论是构建高效的开关电源、功率因数校正电路，还是驱动工业电机，它都能提供稳定可靠的性能基石。

选择STP10NK80Z，意味着您选择了一个经过验证的高性能解决方案。其TO-220AB封装确保了出色的散热和易用性，宽广的工作温度范围让它能适应各种挑战性环境。让它为您的产品注入高效与可靠的核心动力！

• 型号:STP10NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。