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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP10NK70Z正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有700V的坚固耐压和8.6A的强健电流能力，专为应对苛刻的电源转换场景而设计。

它的核心价值在于，通过先进的SuperMESH技术，大幅降低了导通电阻和栅极电荷。这意味着在您的开关电源、电机驱动或照明应用中，它能显著减少能量损耗，提升整体系统效率，同时更快的开关速度让响应更迅捷。高达150W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，让您无需担心过热问题，设计更省心，产品运行更稳定可靠。

• 型号:STP10NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NK70Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。