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还在为高压大电流应用的效率与散热问题头疼吗？让STL33N60M6来为您轻松化解！这颗来自意法半导体MDmesh M6家族的600V/21A功率MOSFET，凭借其超低的137毫欧导通电阻和优化的33.4nC栅极电荷，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的PowerFlat HV封装，不仅散热性能出众，更能为您节省宝贵的电路板空间，助力实现更紧凑、更轻薄的终端产品设计。无论是提升能效、增强可靠性还是简化热管理，STL33N60M6都是您打造高性能、高竞争力方案的理想核心器件。

• 型号:STL33N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:137毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1515 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL33N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。