我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP10NK50Z现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能高效处理中高功率任务的N沟道MOSFET吗？STP10NK50Z正是为您而来。这颗来自意法半导体的500V/9A MOSFET，采用先进的SuperMESH技术，核心使命就是让您的电源转换、电机控制或照明应用运行得更冷静、更高效。

它的关键优势在于极低的导通电阻（典型值700mΩ @ 10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接帮助您降低系统温升，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让驱动设计更轻松，有助于实现更高频率的开关操作，从而让您的电源设计更紧凑、更轻量化。

• 型号:STP10NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1219 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。