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想象一下，在您的电源或电机控制电路中，需要一颗能“扛大梁”又“省能量”的开关器件？STS30N3LLH6正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达30A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，直接为您提升系统整体效率，并简化散热设计。

得益于STripFET VI等先进技术，它能让您轻松实现高效、快速的功率切换。无论是用于同步整流提升电源密度，还是驱动电机实现精准控制，它都能稳定工作在宽广的温度范围内，确保您的产品在各种环境下都表现出色。选择它，就是为您的应用注入一股强劲而高效的动力核心。

• 型号:STS30N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS30N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。