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还在寻找一颗能同时兼顾高压耐受与高效开关的“心脏”吗？STP10N62K3正是您的理想答案。这颗来自意法半导体SuperMESH3系列的N沟道MOSFET，拥有620V的漏源电压和8.4A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅750毫欧）和优化的动态参数。

这意味着，在您的电源转换或电机控制电路中，它能显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，其快速的开关特性让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，助力产品小型化。经典的TO-220AB封装确保了出色的散热和可靠性，让您的设计在面对严苛工况时依然稳健如山。

• 型号:STP10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。