我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP10N105K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关吗？STP10N105K5正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有惊人的1050V漏源电压耐受能力，结合其MDmesh K5技术带来的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率飙升，轻松应对严苛的能效标准。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关，让您轻松实现更高频率的设计，同时降低电磁干扰。高达130W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），赋予了它无与伦比的可靠性与鲁棒性，是工业电源、电机控制等高压应用的理想核心。

• 型号:STP10N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。