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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又能保持冷静高效的功率开关吗？STP105N3LL正是您的理想答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其80A的强大电流承载能力和低至3.5毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的功率损耗，让电能转换更加高效。

它采用了先进的DeepGATE技术，在4.5V的低电压下即可驱动，让您轻松实现快速、干净的开关控制，有效减少发热和电磁干扰。无论是用于构建紧凑的DC-DC转换器，还是驱动高功率的电机负载，它都能提供稳定可靠的性能，助您轻松提升终端产品的能效等级与可靠性。

• 型号:STP105N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP105N3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。