我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP100N8F6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？让STP100N8F6为您带来改变。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有80V的耐压和高达100A的电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅9毫欧@10V）。这意味着它能显著降低开关和导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效，让热量更少，性能更持久。

得益于先进的STripFET F6技术，它能在10V的标准驱动电压下轻松实现高效开关，同时保持极低的栅极电荷。这为您带来了双重好处：一方面降低了驱动电路的负担，让设计更简单；另一方面提升了开关速度，让系统响应更迅捷。无论是用于构建高效的同步整流电路，还是驱动高功率的直流电机，STP100N8F6都能让您以更低的系统复杂度和更高的可靠性，达成设计目标。

• 型号:STP100N8F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5955 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:176W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP100N8F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。