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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STD8NM60ND正是为此而生。这颗来自ST意法半导体FDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和7A的连续漏极电流，专为要求严苛的功率转换场景设计。其核心价值在于，通过极低的导通电阻和优化的动态参数，显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更省电。

它能让您轻松应对开关电源、工业控制、照明驱动等应用中的能效挑战。优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，提升系统响应速度与整体效率。高达150°C的结温工作能力和70W的功率耗散能力，赋予了它出色的鲁棒性和热可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的高性能与高稳定性保障。

• 型号:STD8NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD8NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。