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还在为如何高效、可靠地驱动功率开关管而烦恼吗？让L6386E来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器芯片，专为驾驭IGBT和N沟道MOSFET而生，能轻松将您控制器的微弱信号，转化为强劲、精准的驱动脉冲。

它内置两个独立驱动器，支持高达600V的高压侧供电，峰值输出电流分别达到650mA（拉出）和400mA（灌入），确保您的功率开关管快速、干脆地开启与关断，显著提升开关电源、电机驱动等应用的效率。其宽泛的电压与温度适应性，让您的设计从容应对各种复杂环境。简而言之，L6386E就是您实现高效功率转换的得力助手，让系统设计更简洁，性能更稳定。

• 型号:L6386E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:14-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:14-DIP
• L6386E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。