我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STO36N60M6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效开关与出色散热能力的功率开关？STO36N60M6正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V/30A的强悍规格，其核心使命就是让您的电源转换系统运行得更冷静、更高效。

它通过将导通电阻（Rds(on)）降至极低水平，显著减少了导通损耗，同时优化的栅极电荷（Qg）确保了快速、干净的开关动作，从而整体提升系统效率。其创新的TOLL封装不仅节省空间，更提供了卓越的热性能，让您轻松管理功率耗散，确保设备在严苛环境下依然稳定可靠。选择STO36N60M6，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的动力核心。

• 型号:STO36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
• STO36N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。