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还在为电源路径上的效率瓶颈和发热烦恼吗？STD26P3LLH6正是为您的高效设计而来。这颗30V/12A的P沟道MOSFET，凭借其超低的30毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久，轻松提升整体能效。

它集成了ST先进的DeepGATE与STripFET VI技术，在紧凑的DPAK封装内实现了优异的开关性能与高达40W的散热能力。无论是用于负载开关、电池反接保护，还是DC-DC转换，它都能让您以更小的空间占用，获得更稳定可靠的性能表现，简化您的热管理设计。

• 型号:STD26P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD26P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。