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在追求极致能效的电力电子世界，一颗强大的“心脏”至关重要。STW25N60M2-EP正是这样一颗为您注入强劲动力的核心。它基于意法半导体先进的MDmesh M2-EP技术，为您轻松驾驭高达600V电压和18A电流的严苛应用场景。

这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它能显著降低系统的导通损耗，其低至188毫欧的导通电阻意味着更高的能源转换效率，让您的电源、电机驱动或UPS设备运行得更凉爽、更持久。同时，优化的开关特性帮助您简化设计，提升整体可靠性。选择它，就是选择了一条通往高效、稳健产品设计的捷径。

• 型号:STW25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW25N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。