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还在寻找一颗能兼顾性能与空间的P沟道MOSFET吗？STN3PF06正是为您而来的解决方案。这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭高达60V的电压和2.5A的电流，以极低的220毫欧导通电阻，大幅减少功率损耗，提升系统整体能效。

得益于STripFET II先进技术，它确保了高效、可靠的开关性能。紧凑的SOT-223封装让您在有限的板级空间内游刃有余，而宽广的工作温度范围则赋予其应对各种环境挑战的坚韧品质。选择它，就是为您的电源管理、电机驱动或负载开关应用选择了一个高效、稳定的强大核心。

• 型号:STN3PF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN3PF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。