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STB70NFS03LT4 零件图片(仅供参考)

STB70NFS03LT4
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STB70NFS03LT4 规格参数

还在为电源转换效率或电机驱动性能而妥协吗?让STB70NFS03LT4为您带来改变!这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET,拥有高达70A的电流处理能力和低至9.5毫欧的超低导通电阻,能显著降低系统功耗与发热,让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为30V以下的高性能应用优化,极低的栅极电荷确保快速开关,轻松提升DC-DC转换器、电机驱动及功率开关电路的响应速度与整体能效。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围(-55°C至175°C),为您应对各种严苛环境提供了坚实保障。选择它,就是选择了一份经过验证的高效与可靠。

  • 型号:STB70NFS03LT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.5 毫欧 @ 35A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):30 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值):±18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1440 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • STB70NFS03LT4,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STB70NFS03LT4 基本参数:

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