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您是否希望为您的电源管理或电机控制应用找到一颗高效、可靠的“心脏”？STN2NF10正是这样一款出色的N沟道MOSFET。它基于先进的STripFET II技术打造，拥有100V的耐压和2.4A的连续电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（仅260毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片的卓越之处还在于其快速的开关特性。优化的栅极电荷和输入电容，让您能够轻松实现高效驱动，进一步提升开关频率和整体转换效率。同时，其坚固的SOT-223封装确保了出色的散热能力和空间利用率，无论是面对工业级的温度挑战，还是追求极致的紧凑设计，它都能让您游刃有余，轻松构建更可靠、更高效的电能转换方案。

• 型号:STN2NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN2NF10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。