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还在寻找一颗能轻松驾驭100V平台、节省空间又高效的开关解决方案吗？STN2NE10L正是为您而来！这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有1.8A的连续电流能力，其关键优势在于极低的导通电阻（典型值400mΩ @ 10V），能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设计。高达150°C的结温工作范围，确保了其在各种环境下的出色可靠性。无论是用于DC-DC转换器、负载开关还是电机控制，STN2NE10L都能让您以更小的体积和功耗，实现稳定强劲的性能输出，简化您的设计挑战。

• 型号:STN2NE10L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:345 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN2NE10L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。