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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STF46N60M6正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh M6家族的N沟道MOSFET，拥有600V击穿电压和36A的强劲电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或新能源逆变器时底气十足。

它的核心价值在于卓越的效率。其先进的超结结构带来了极低的导通电阻，显著减少了功率损耗，让您的系统运行更凉爽。同时，优化的动态参数有助于降低开关损耗，提升整体能效。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，确保在严苛环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了强大的动力核心与可靠的效率保障。

• 型号:STF46N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF46N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。