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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与紧凑封装的“全能型”开关管吗？STN1HNK60正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的SuperMESH技术，拥有600V的高耐压和仅8.5欧姆的低导通电阻，能显著降低您在开关电源、LED驱动或电机控制应用中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

这颗芯片能为您做什么？它凭借极低的栅极电荷和输入电容，让开关动作干净利落，大幅提升开关频率和整体能效。同时，其坚固的SOT-223封装确保了出色的散热性能和可靠性，让您在设计紧凑型产品时毫无后顾之忧。选择STN1HNK60，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏，轻松实现性能与成本的完美平衡。

• 型号:STN1HNK60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN1HNK60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。