我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL9P2UH7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时搞定大电流、低损耗和小体积的P沟道MOSFET吗？STL9P2UH7正是为您而来的解决方案。这颗芯片能轻松驾驭高达9A的连续电流，而其超低的22.5毫欧导通电阻，能显著减少开关和传导过程中的功率损耗，直接提升您设备的整体能效和续航时间。

它采用先进的PowerFlat封装，面积仅3.3x3.3毫米，厚度极薄，让您能在寸土寸金的电路板上实现更紧凑、更优雅的布局。无论是用于负载开关、电机驱动还是电源反向保护，STL9P2UH7都能以出色的热性能和高达150°C的工作结温，确保系统在各种工况下的稳定与可靠。选择它，就是为您的设计注入一份高效与安心的保障。

• 型号:STL9P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL9P2UH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。