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还在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和出色热管理的功率开关芯片吗？STL9N80K5正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的漏源电压和7A的连续漏极电流，让您在设计高压AC-DC电源、电机驱动或逆变器时，能够轻松应对严苛的电气环境，实现高效、稳定的功率转换。

它采用创新的PowerFlat封装，不仅体积小巧，节省您的电路板空间，其卓越的热性能更能帮助系统有效散热，确保长时间高负载运行的可靠性。选择STL9N80K5，就是选择让您的产品在性能、效率和空间利用率上获得全面突破。

• 制造商产品型号：STL9N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerFlat（5x6）
• STL9N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。