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还在寻找一颗能同时兼顾高耐压、低损耗和紧凑尺寸的功率开关吗？STL9N60M2正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和4.8A的连续电流能力，专为提升开关电源和功率转换应用的效率而生。

它的核心价值在于，极低的860毫欧导通电阻和仅10nC的栅极电荷，能显著降低您的系统在导通和开关过程中的能量损耗。这意味着，您设计的设备将运行得更高效、更凉爽，直接帮助您优化能效指标并简化散热设计。同时，其小巧的PowerFlat HV封装让您轻松实现高功率密度的紧凑布局，为产品小型化开辟了新的可能。

• 型号:STL9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:860 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL9N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。