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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、让系统运行更凉爽的功率开关吗？STF16NM50N正是您的理想选择。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的高耐压和15A的连续电流能力，其关键价值在于极低的导通电阻（仅260毫欧），能大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的能效等级。

同时，它优化的动态参数（如低栅极电荷）让开关过程更加迅速高效，有助于降低开关损耗和电磁干扰。封装在坚固的TO-220FP中，并支持高达150°C的结温，STF16NM50N为您提供了在紧凑空间内处理高功率的可靠解决方案，是打造高效、稳健电力系统的得力助手。

• 型号:STF16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF16NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。