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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持紧凑尺寸的功率开关解决方案？STL90N3LLH6正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，在仅4.5毫欧的超低导通电阻下，可连续通过高达90A的电流，让您的电源转换或电机驱动应用损耗更低、发热更少、运行更凉爽。

它采用创新的DeepGATE工艺和PowerFlat超薄封装，不仅实现了优异的电气性能，还极大地节省了PCB空间，非常适合对功率密度有苛刻要求的现代电子设备。其优化的栅极电荷特性，让您能轻松实现高频开关，从而构建出更高效、更紧凑的最终产品。选择STL90N3LLH6，就是为您的设计注入强劲而高效的核心动力。

• 型号:STL90N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL90N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。