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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STL90N10F7 N沟道功率MOSFET，正是为您的高效设计而来。它集成了意法半导体领先的STripFET VII技术，拥有低至10.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少传导损耗，让电能传输更顺畅；同时，其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，大幅降低开关损耗，从而全面提升系统能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达100V电压和70A电流的严苛应用，无论是数据中心电源、电机驱动还是新能源车载设备，都能提供稳定强劲的动力核心。其坚固的PowerFlat封装兼具卓越的散热能力和紧凑的占板面积，配合宽广的工作温度范围，让您的产品设计在追求高性能的同时，无需在可靠性与体积上妥协，真正实现高效、紧凑且耐用的完美平衡。

• 型号:STL90N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL90N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。