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还在为高压开关应用中的效率与空间烦恼吗？让STL12HN65M2为您带来改变。这颗采用先进PowerFlat HV封装的功率MOSFET，能在紧凑的5x6毫米空间内，高效处理高达6A的连续电流，显著提升您的电源转换效率，同时简化散热设计。

它专为表面贴装工艺优化，让您的生产线装配更轻松，一致性更高。无论是开发新一代超薄适配器，还是构建高密度工业电源模块，STL12HN65M2都能让您以更小的体积，实现更强的性能，助您高效攻克设计难关，快速抢占市场先机。

• 制造商产品型号：STL12HN65M2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET POWERFLAT HV
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：有源
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerFlat（5x6）HV
• STL12HN65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。