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您正在设计需要处理高达120A电流的电路吗？STP360N4F6就是为您准备的强大心脏。这颗40V N沟道MOSFET拥有仅1.8毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升整体能效和功率密度。

基于ST意法半导体先进的DeepGATE和STripFET VI技术，它不仅能轻松应对高电流挑战，其AEC-Q101汽车级认证更确保了在极端温度（-55°C至175°C）和恶劣环境下的卓越可靠性。无论是用于汽车应用、工业电源还是大功率开关，它都能提供稳定、坚固的性能，让您的产品设计更具竞争力。

• 型号:STP360N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP360N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。