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您正在设计需要处理大电流的电源转换或电机驱动方案吗？STP80NE03L-06正是为您而来的得力助手。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达80A的电流，而其惊人的6毫欧超低导通电阻，意味着在它身上产生的热量损耗微乎其微，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它拥有30V的漏源电压和优化的栅极驱动特性，让您能够用标准逻辑电平轻松、快速地控制大功率负载的开关。无论是提升DC-DC转换器的效率，还是驱动电机实现精准控制，STP80NE03L-06都能以其卓越的性能，帮助您简化设计、提升产品整体可靠性，是追求高性能与高性价比工程师的明智之选。

• 型号:STP80NE03L-06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NE03L-06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。