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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、同时兼顾紧凑布局的“核心动力”芯片？STL8N6LF3正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和20A的强大电流处理能力，其精髓在于仅30毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它采用先进的PowerFlat微型封装，为您节省宝贵的电路板空间，而其卓越的散热特性确保在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定工作。无论是用于汽车领域的电机驱动、电源管理，还是工业设备中的高效转换，STL8N6LF3都能让您轻松实现高性能、高可靠性的设计目标，是追求极致能效与可靠性的工程师的明智之选。

• 型号:STL8N6LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:668 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:65W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8N6LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。