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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STL8N65M2正是为您而来的高效解决方案！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达650V的耐压和出色的电流处理能力，专为要求严苛的功率转换场景而生。

它能为您做什么？简单来说，它让您轻松实现高效的能量开关与控制。在开关电源中，它能显著提升效率，降低发热；在电机驱动电路中，它提供稳定可靠的功率输出。其表面贴装设计让您的PCB布局更紧凑，生产更高效。选择它，就是选择让您的设计更省心、产品性能更出众的捷径。

• 型号:STL8N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。