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STS3DPF60L 零件图片(仅供参考)

STS3DPF60L
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STS3DPF60L 规格参数

还在为寻找一颗能简化电路、提升效率的双MOSFET而四处寻觅吗?STS3DPF60L正是您期待的答案。这颗芯片集成了两个高性能的P沟道MOSFET,采用先进的STripFET技术,为您带来低至120毫欧的导通电阻和仅1.5V的低阈值电压。

这意味着它能轻松被3.3V或5V的微控制器直接驱动,让您彻底告别复杂的外围驱动电路。无论是用于负载开关、电源选择,还是电机控制,它都能以极低的功耗损失高效完成任务,显著提升系统整体能效,同时其紧凑的8-SOIC封装为您节省宝贵的电路板空间,让设计更优雅、生产更高效。

  • 型号:STS3DPF60L
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 60V 3A 8SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):630pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • STS3DPF60L,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STS3DPF60L 基本参数:

  • 电子零件型号:STS3DPF60L
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET 2P-CH 60V 3A 8SOIC
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 点击此处查询STS3DPF60L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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