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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关芯片吗？STL8DN6LF3双N沟道MOSFET就是您的理想答案。它专为汽车电子和 demanding 工业应用打造，其超低的30毫欧导通电阻能显著降低系统功耗与发热，而逻辑电平门驱动让您能轻松对接主流MCU，简化设计，提升整体响应速度。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的电机驱动、精准的LED调光控制以及紧凑的电源转换方案。凭借AEC-Q101认证和-55°C至175°C的宽工作结温，它确保了在极端环境下的稳定运行，让您的产品无惧挑战。其小巧的8-PowerVDFN封装在节省空间的同时，提供了20A的强劲电流处理能力，是提升产品功率密度和可靠性的高效选择。

• 型号:STL8DN6LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:668pF @ 25V
• 功率 - 最大值:65W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL8DN6LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。