我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL86N3LLH6AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能在大电流下依然保持冷静、高效的功率开关而烦恼吗？STL86N3LLH6AG正是您期待的答案。这颗采用先进STripFET H6技术的N沟道MOSFET，能为您轻松驾驭高达80A的连续电流，而其低至5.2毫欧的导通电阻，意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接提升您的系统整体能效。

它让您在设计汽车级电源管理、电机驱动或负载开关时更加得心应手。极低的栅极电荷确保快速开关，减少开关损耗；宽广的-55°C至150°C工作温度范围提供坚实的可靠性保障。其紧凑的PowerFlat封装更是节省宝贵PCB空间的利器。选择它，就是选择为您的应用注入高效、紧凑与可靠的核心动力。

• 型号:STL86N3LLH6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL86N3LLH6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。