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还在为电源转换效率的瓶颈而烦恼吗？让STL85N6F3为您开启高效节能的新篇章。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，能轻松承载高达85A的电流，并以低至5.7毫欧的导通电阻，显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它专为要求严苛的功率应用而生。无论是构建紧凑高效的DC-DC转换器、驱动强劲的电机，还是管理复杂的电池系统，其优异的开关特性（低栅极电荷）和PowerFlat封装带来的出色散热能力，都能让您的设计运行更稳定、更凉爽。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的动力核心。

• 型号:STL85N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL85N6F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。