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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持卓越可靠性的功率开关？STL80N75F6正是您的理想之选。这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，拥有低至6.3毫欧的导通电阻和80A的强劲电流处理能力，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat封装，帮助您轻松实现高功率密度设计。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和优化的开关特性（如低栅极电荷），确保它在苛刻环境下也能稳定发挥，是提升产品性能和可靠性的得力助手。

• 型号:STL80N75F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.3 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7120 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL80N75F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。