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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的MOSFET而烦恼吗？STS10DN3LH5双N沟道MOSFET就是您的理想答案。它集成了两个高性能的N沟道晶体管，采用先进的STripFET V技术，为您带来低至21毫欧的导通电阻和仅4.6nC的栅极电荷，让您的电源转换和电机控制应用实现极高的效率和快速的动态响应。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达10A的连续电流和30V的电压，同时其逻辑电平门控特性（Vgs(th)低至1V）使其能够被3.3V或5V的微控制器直接驱动，极大地简化了您的电路设计。无论是用于同步整流、负载开关还是电机H桥驱动，STS10DN3LH5都能以卓越的热性能和可靠性，确保您的系统高效、稳定地运行。

• 型号:STS10DN3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS10DN3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。