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还在寻找一颗能兼顾高效率与高功率密度的“心脏”吗？STL75N8LF6 N沟道MOSFET正是为您的高要求应用量身打造。它拥有80V的耐压和高达75A的连续电流承载能力，其核心价值在于超低的7.4毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计轻松应对大电流开关任务。得益于STripFET VI技术，它在10V驱动电压下即可实现优异的性能，配合低至125nC的栅极电荷，确保了极快的开关响应，从而减少开关损耗，提升整体能效。其紧凑的PowerFlat封装不仅节省空间，更优化了散热路径，让您在高功率应用中也能实现紧凑的布局。

• 型号:STL75N8LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.4 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+21V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6895 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL75N8LF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。