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还在为高压开关应用的效率和散热问题烦恼吗？让STD7NM80-1来为您解决！这颗N沟道MOSFET是您实现高效能量控制的秘密武器。它拥有800V的高耐压和6.5A的强电流处理能力，配合其MDmesh技术带来的超低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对PFC、照明镇流器、工业电源等场景。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关动作，提升整体响应速度。其坚固的I-PAK封装和宽广的工作温度范围，为您提供了出色的可靠性与设计灵活性。选择STD7NM80-1，就是选择了一个经过验证的高性能解决方案，助您轻松构建更稳定、更高效的电力电子系统。

• 型号:STD7NM80-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD7NM80-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。