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您正在为寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和小尺寸要求的功率开关而烦恼吗？让STL66N3LLH5来为您解决难题！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，专为汽车级和高密度应用打造，能轻松承载高达80A的电流，同时将导通损耗降至最低。

它采用先进的STripFET V技术和PowerFlat封装，不仅提供了卓越的散热性能，还极大地节省了电路板空间。其低栅极电荷特性确保了快速的开关速度，让您能够设计出更高效、更紧凑的电源管理系统，无论是用于电机驱动、负载开关还是DC-DC转换，都能游刃有余，大幅提升您的产品竞争力。

• 型号:STL66N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL66N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。