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您正在寻找一颗能同时驾驭600V高压和29A大电流，且效率出众的功率开关吗？STB36NM60ND正是为您而来。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有低至110毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行更凉爽、能效更高。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，确保在高温高可靠性的应用中稳定工作。优化的开关特性让您轻松实现更高频率的设计，提升功率密度。选择STB36NM60ND，就是为您的产品选择了强劲的心脏与持久的耐力。

• 型号:STB36NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB36NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。