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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省宝贵电路空间的功率开关吗？STL65DN3LLH5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的双N沟道MOSFET，拥有65A的强大电流处理能力和低至6.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用逻辑电平门驱动，阈值电压低，可直接由微处理器轻松驱动，简化了您的电路设计。其紧凑的PowerFLAT封装在确保出色散热性能（最大功率60W）的同时，为您节省了至关重要的PCB面积。无论是应对严苛的工业温度环境，还是追求极致的能效表现，它都能让您的设计脱颖而出，轻松实现高性能与高可靠性的完美统一。

• 型号:STL65DN3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500pF @ 25V
• 功率 - 最大值:60W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL65DN3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。