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还在为P沟道MOSFET的功率与尺寸矛盾而烦恼吗？STL62P3LLH6为您提供一站式解决方案。这颗来自意法半导体的功率器件，集成了STripFET H6先进技术，能在微型PowerFlat封装内轻松驾驭高达62A的连续电流，其超低的10.5毫欧导通电阻，能显著降低系统功耗，让您的设计效率飙升。

它专为追求高功率密度和可靠性的应用而优化。无论是需要紧凑布局的便携设备电源管理，还是对效率和散热要求严苛的电机控制与DC-DC转换，STL62P3LLH6都能凭借其优异的电气特性（如低栅极电荷和宽驱动电压）和强大的热性能（工作结温高达175°C），让您轻松应对设计挑战，打造出更高效、更可靠、更具竞争力的终端产品。

• 型号:STL62P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL62P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。