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您是否正在寻找一颗能同时扛起高压、大电流重任，又能保持冷静高效的功率开关？STB30N80K5正是为您而来的解决方案。它基于ST意法半导体先进的MDmesh K5技术，是一款800V/24A的N沟道MOSFET，专为要求严苛的高能效应用而设计。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭服务器电源、工业驱动、新能源逆变器等高压大功率场景。其超低的180毫欧导通电阻（@12A,10V）能显著减少导通损耗，而优化的动态特性则有效降低开关损耗，双管齐下，助力您的系统实现峰值效率。同时，坚固的D2PAK封装和250W的功率耗散能力，确保了它在高负荷下的长期可靠运行。

选择STB30N80K5，就是选择了一个经过验证的高性能、高可靠性基石。它能简化您的热管理设计，提升功率密度，最终让您以更卓越的产品性能和更低的系统总成本，在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STB30N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1530 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。