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您正在寻找一颗能扛起大电流、高效开关重任的“核心动力单元”吗？STB80N4F6AG正是为此而生。这颗符合汽车级AEC-Q101标准的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的6毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用优化的STripFET技术，具备快速的开关特性和出色的热性能，封装于坚固的DPAK中，确保在-55°C至175°C的严酷环境下稳定工作。选择它，意味着您能轻松提升系统能效，增强可靠性，并简化热管理设计。

• 型号:STB80N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80N4F6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。