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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STL52N25M5就是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有250V耐压和28A电流能力，其核心魅力在于极低的65毫欧导通电阻和仅47nC的栅极电荷。这意味着它能为您大幅降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，让热量更少，运行更凉爽。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业电机驱动、LED照明等高要求应用。其优化的动态特性确保开关迅速而干净，助力您实现高频、高效的设计。同时，紧凑的PowerFlat封装节省宝贵板级空间，让高功率密度设计成为可能。选择STL52N25M5，就是选择了一条通往更高性能、更可靠产品的捷径。

• 型号:STL52N25M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1770 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL52N25M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。